Zwischen der p- und der n-leitenden Schicht wird mittels geeigneter Diffusions- und Driftverfahren eine eigenleitende Schicht erzeugt. Die Herstellung einer derartigen eigenleitenden Schicht erfolgt durch Eindiffundieren von Lithiumionen in Bordotiertes p-Silizium oder p-Germanium und anschließender Drift der Lithiumionen unter Einwirkung eines in Sperrrichtung angelegten elektrischen Feldes.

Das Gebiet in dem die Anzahl der Boratome gleich ist der Anzahl der Lithiumatome, ist die kompensierte Zone, die das strahlenempfindliche Volumen eines pin-Halbleiterdetektors bestimmt.